48 | | * |
49 | | * |
50 | | * |
| 48 | Recopiez le fichier ''/users/enseig/trncomun/TP/2006/TP4/Fichiers/trMos/polar_nmos.spi''. |
| 49 | Ce fichier décrit un transistor N. Vous vous inspirerez de ce chier pour décrire un transistor P. |
| 50 | Dans un premier temps simuler et visualiser les courbes du courant en fonction de la |
| 51 | tension des transistors N et P : |
| 52 | |
| 53 | * IDS en fonction de VGS, pour VDS = VDD (VGS varie de VSS à VDD). |
| 54 | Déterminer les tensions de seuil Vtn, Vtp des deux types de transistors graphiquement et avec l'instruction .print VT(Mxx). |
| 55 | |
| 56 | * IDS en fonction de VDS, pour différentes valeurs de VGS (VDS varie de VSS à VDD). |
| 57 | Identifier les différents régimes du transistor : régime bloqué, linéaire et saturé du transistor. |
| 58 | |
| 59 | [[Image(, nolink)]] |
| 60 | On prendra comme dimensions pour les transistors : |
| 61 | |
| 62 | * Ln = 0.35 µm, Wn = 1.4 µm |
| 63 | * Lp = 0.35 µm, Wp = 2.9 µm |
| 64 | * VDD=3.3V |
| 65 | |
| 66 | * |
| 67 | * |