Changes between Version 44 and Version 45 of SimulateurEldo
- Timestamp:
- Oct 5, 2007, 7:10:43 PM (17 years ago)
Legend:
- Unmodified
- Added
- Removed
- Modified
-
SimulateurEldo
v44 v45 11 11 CMOS. Nous allons aussi étudier les différents paramètres qui influencent les temps de propagation 12 12 de cet inverseur. Pour ce TP vous rédigerez un compte rendu détaillé des résultats 13 obtenus et de leurs significations. 13 obtenus et de leurs significations.[[BR]] 14 14 '''XELGA''' ne fonctionnant que dans un environnement graphique en 256 couleurs il faut 15 15 créer un nouveau bureau virtuel avec la commande ''vncloop''. Pour utiliser les outils '''ELDO''' et … … 48 48 Recopiez le fichier ''/users/enseig/trncomun/TP/2007/TP4/Fichiers/trMos/polar_nmos.spi''. 49 49 50 Ce fichier décrit un transistor N. Vous vous inspirerez de ce fichier pour décrire un transistor P. 51 Dans un premier temps simuler et visualiser les courbes du courant en fonction de la 52 tension des transistors N et P : 50 Ce fichier décrit un transistor N. Vous vous inspirerez de ce fichier pour décrire un transistor P.[[BR]] 51 Dans un premier temps simuler et visualiser les courbes du courant en fonction de la tension des transistors N et P : 53 52 54 53 * IDS en fonction de VGS, pour VDS = VDD (VGS varie de VSS à VDD). … … 71 70 72 71 * Insérer au fichier '''ELDO''' le chemin d'accès aux modèles des transistors par la primitive : 73 ''.include techno/labo/035/models/mosn_mosp.wc, (modèle "Worst Case").'' 72 {{{ 73 .include techno/labo/035/models/mosn_mosp.wc 74 }}} 75 (pour modèle "Worst Case"). 74 76 75 77 * utliser la commande '''.DC''' pour effectuer une analyse statique. … … 102 104 ||E || OFF || LINÉAIRE|| 103 105 104 La figure illustre les différentes régions de fonctionnement de l'inverseur CMOS. 106 La figure illustre les différentes régions de fonctionnement de l'inverseur CMOS.[[BR]] 105 107 Sachant que les courants qui traversent les transistors N et P en mode saturé sont définis par les équations suivantes : 106 108 … … 119 121 = 1.4 Simulation statique d'un inverseur CMOS = 120 122 121 Décrivez un inverseur dans un fichier au format '''SPICE''' ''.spi''. 123 Décrivez un inverseur dans un fichier au format '''SPICE''' ''.spi''.[[BR]] 122 124 On prendra comme dimension des transistors ceux de la partie 1.2. avec une tension ''VDD=3.3V''. 123 125 … … 171 173 == 1.5.1 Influence de la capacité de sortie == 172 174 173 Nous avons vu dans l'équation 1.5 que les temps de montée et de descente dépendaient de la capacité en sortie de l'inverseur. 175 Nous avons vu dans l'équation 1.5 que les temps de montée et de descente dépendaient de la capacité en sortie de l'inverseur. [[BR]] 174 176 Pour fixer cette dernière à une valeur réaliste, une bonne estimation consiste à le charger avec 4 autres inverseurs comme le montre la figure et à déterminer la capacité équivalente. 175 177 … … 183 185 * Mesurer les temps de propagation du premier inverseur et conserver ces valeurs. 184 186 185 Dans un nouveau fichier ''.spi'', retirer les 4 inverseurs de charge, et remplacer les par une capacité. Nous allons determiner la capacité equivalente correspondant aux 4 inverseurs de sortie. 187 Dans un nouveau fichier ''.spi'', retirer les 4 inverseurs de charge, et remplacer les par une capacité. [[BR]] 188 Nous allons determiner la capacité equivalente correspondant aux 4 inverseurs de sortie. 186 189 187 190 * Mesurer ''TPLH'' et ''TPHL'' en faisant varier la valeur de la capacité de sortie de 1fF à 100fF.
