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SimulateurEldo
v46 v47 31 31 }}} 32 32 33 3. au cas où l'interpréteur de commande de l'étudiant n'est pas le C-SHELL, taper33 3. au cas où l'interpréteur de commande de l'étudiant n'est pas le ''C-SHELL'', taper 34 34 {{{ 35 35 > tcsh … … 51 51 Dans un premier temps simuler et visualiser les courbes du courant en fonction de la tension des transistors N et P : 52 52 53 * IDS en fonction de VGS, pour VDS = VDD (VGS varie de VSS à VDD).[[BR]]54 Déterminer les tensions de seuil Vtn, Vtpdes deux types de transistors graphiquement et avec l'instruction '''.print VT(Mxx)'''.55 56 * IDS en fonction de VDS, pour différentes valeurs de VGS (VDS varie de VSS à VDD).[[BR]]53 * ''IDS'' en fonction de ''VGS'', pour ''VDS'' = ''VDD'' (''VGS'' varie de ''VSS'' à ''VDD'').[[BR]] 54 Déterminer les tensions de seuil ''Vtn'', ''Vtp'' des deux types de transistors graphiquement et avec l'instruction '''.print VT(Mxx)'''. 55 56 * ''IDS'' en fonction de ''VDS'', pour différentes valeurs de ''VGS'' (''VDS'' varie de ''VSS'' à ''VDD'').[[BR]] 57 57 Identifier les différents régimes du transistor : régime bloqué, linéaire et saturé du transistor. 58 58 … … 61 61 On prendra comme dimensions pour les transistors : 62 62 63 * Ln = 0.35 µm, Wn= 1.4 µm64 * Lp = 0.35 µm, Wp= 2.9 µm65 * VDD=3.3V63 * ''Ln'' = 0.35 µm, ''Wn'' = 1.4 µm 64 * ''Lp'' = 0.35 µm, ''Wp'' = 2.9 µm 65 * ''VDD''=3.3V 66 66 67 67 '''NB:''' … … 73 73 .include techno/labo/035/models/mosn_mosp.wc 74 74 }}} 75 (pour modèle "Worst Case").75 (pour modèle ''"Worst Case"''). 76 76 77 77 * utliser la commande '''.DC''' pour effectuer une analyse statique. … … 88 88 > xelga fichier.wdb 89 89 }}} 90 91 92 90 93 91 = 1.3 Les caractéristiques de l'inverseur CMOS = … … 105 103 106 104 La figure illustre les différentes régions de fonctionnement de l'inverseur CMOS.[[BR]] 107 Sachant que les courants qui traversent les transistors N et P en mode saturé sont définis par 105 Sachant que les courants qui traversent les transistors N et P en mode saturé sont définis par les équations suivantes : 108 106 109 107 [[Image(ids.png, nolink)]] … … 117 115 [[Image(kp.png, nolink)]] 118 116 119 où µn, µp sont les mobilités des électrons et des trous respectivement et Coxest la capacité d'oxyde.117 où ''µn'', ''µp'' sont les mobilités des électrons et des trous respectivement et ''Cox'' est la capacité d'oxyde. 120 118 121 119 = 1.4 Simulation statique d'un inverseur CMOS = 122 120 123 121 Décrivez un inverseur dans un fichier au format '''SPICE''' ''.spi''.[[BR]] 124 On prendra comme dimension des transistors ceux de la partie 1.2. avec une tension ''VDD =3.3V''.122 On prendra comme dimension des transistors ceux de la partie 1.2. avec une tension ''VDD''=3.3V. 125 123 126 124 * Simuler et visualiser la fonction de transfert ''VOUT=f(VIN)'' d'un inverseur. 127 125 * Déterminer le seuil électrique de l'inverseur voir figure de la section 1.3. 128 * Pour des tailles raisonnables de ''Wn'' et ''Wp'', trouver le rapport ''Wp/Wn'' pour que le seuil soit égal à ''VDD /2''.126 * Pour des tailles raisonnables de ''Wn'' et ''Wp'', trouver le rapport ''Wp/Wn'' pour que le seuil soit égal à ''VDD''/2. 129 127 * les commandes '''.PARAM''' et '''.STEP''' pour faire varier ''Wp''. 130 128 * la commande '''.EXTRACT''' avec l'argument '''"yval"''' pour obtenir la tension de seuil pour chaque ''Wp''. … … 149 147 = 1.5 Simulation dynamique de l'inverseur CMOS = 150 148 151 Temps de montée, temps de descente, TPHL et TPLHd'un inverseur CMOS:149 Temps de montée, temps de descente, ''TPHL'' et ''TPLH'' d'un inverseur CMOS: 152 150 153 151 [[Image(tftr.png, nolink)]] 154 152 155 Les temps de montée et de descente, illustrés dans la figure 1.3, sont définis par les relations approximatives :153 Les temps de montée et de descente, illustrés dans la figure, sont définis par les relations approximatives : 156 154 157 155 [[Image(tempsacces.png, nolink)]] 158 156 159 Où CLest la capacité de charge de l'inverseur.160 161 TPHL et TPLHpeuvent être approximés de la façon suivante :157 Où ''CL'' est la capacité de charge de l'inverseur. 158 159 ''TPHL'' et ''TPLH'' peuvent être approximés de la façon suivante : 162 160 163 161 [[Image(tempsacces2.png, nolink)]] … … 173 171 == 1.5.1 Influence de la capacité de sortie == 174 172 175 Nous avons vu dans l 'équation 1.5 que les temps de montée et de descente dépendaient de la capacité en sortie de l'inverseur. [[BR]]173 Nous avons vu dans la section 1.5 que les temps de montée et de descente dépendaient de la capacité en sortie de l'inverseur. [[BR]] 176 174 Pour fixer cette dernière à une valeur réaliste, une bonne estimation consiste à le charger avec 4 autres inverseurs comme le montre la figure et à déterminer la capacité équivalente. 177 175 … … 199 197 Pour la suite du TP, on prendra la configuration de base suivante : 200 198 201 * Ln= 0.35 µm202 * Wn = 1.4 µm, Lp= 0.35 µm,203 * C= capacité equivalente à l'entrée de quatre inverseurs204 * Vdd= 3.3 volts199 * ''Ln'' = 0.35 µm 200 * ''Wn'' = 1.4 µm, ''Lp'' = 0.35 µm, 201 * ''C'' = capacité equivalente à l'entrée de quatre inverseurs 202 * ''Vdd'' = 3.3 volts 205 203 * un front de 0.5 ns 206 204
