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<h1> TP1 VLSI : Simulation Electrique </h1>
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== Objectifs ==

 *  Dans un premier temps, vous allez utiliser le simulateur '''eldo ''' et l'interface de visualisation ''' ezwave''' pour observer les caractéristiqes statiques et dynamiques du transistor NMOS et de l'inverseur CMOS.

 * Dans un second temps vous allez étudier l'influence de la charge (nombre de portes attaquées) sur le temps de propagation d'un inverseur, puis d'un inverseur suivi d'un buffer.

 * En dernier lieu, vous allez observer l'influence de la résistance des fils d'interconnexion sur les temps de propagation.

Pour utiliser les outils '''eldo''' et '''ezwave''' vous devez être logué sur unne machine de type Solaris ( par exemple rachmaninov)
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>ssh <nom_de_machine>
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 et avoir fait 
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>source ~jeanlou/VLSI2006-2007/TD-TME/S2/edo.sh
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== Exercices ==
La plupart des fichiers sont fournis, vous devez comprendre ce qui est écrit dans ces fichiers, seules des modifications mineures vont sont demandées.
===Exercice 1 Caractéristiques du transistor NMOS ===
 * Copiez le fichier ''polar_nmos.spi'' ( du répertoire ~jeanlou/VLSI2006-2007/TD-TME/S2) dans votre répertoire
 * Analysez le contenu de ce fichier
 * Lancez la simulation par
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eldo polar-nmos.spi
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lors de cette simulation la tension ''VDS=3.3V'' et on fait varier la tension ''VGS'' de ''0'' à ''3V'' et on mesure le courant ''IDS''